UV优化apd用于极敏感的光检测

Laser Components设计了一系列具有市场领先性能的雪崩光电二极管(apd)，针对不同的应用需求进行了优化。这些极其灵敏的探测器能够探测到单光子级别的光。最近的发展包括一种直通外延结构，其输入表面优化了紫外线灵敏度。紫外线光子具有高能量，这意味着它们在硅中的吸收深度非常浅。在传统光电二极管和apd中，大多数UV光信号在输入表面结构中因反射、吸收或重组而损失，导致灵敏度非常低。Laser Components已经开发了一种极薄的P+沉积层，可以最大限度地减少重组，并能够实现对短波长的光的极高灵敏度。抗反射涂层也可以应用于特定波长的最小反射厚度。

该系列apd包括:SAE系列-硅外延结构实现快速响应时间和低噪声;SAR系列-硅穿透结构，吸收区域深，噪音极低;SUR系列-硅外延结构，表面优化为紫外短波长;SAP系列-优化单光子计数在盖革模式;SAHA系列——硅，量产，成本低，工作电压低;IAG系列- InGaAs APD设计用于近红外1000nm-1630nm波长。高增益(M>30)，低噪声。

Laser Components还可以提供APD阵列以及用于线性和盖革模式操作的APD驱动电子设备和模块，这为评估APD能力提供了一种简单的方法。也欢迎定制变体的请求。